이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
RJM0603JSC-00#12
| 제조 업체: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 데이터 시트: | RJM0603JSC-00#12 |
| 설명: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| 포장 | Tray |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 부품 상태 | Active |
| 전원 - 최대 | 54W |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 작동 온도 | 175°C |
| RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| 공급업체 장치 패키지 | 20-HSOP |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| 소스 전압(Vds)으로 의회비 | 60V |
| 입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 20A |
재고 73 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1
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