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SCT3120ALGC11

제조 업체: ROHM Semiconductor
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: SCT3120ALGC11
설명: MOSFET NCH 650V 21A TO247N
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 ROHM Semiconductor
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 -
FET 유형 N-Channel
포장 Tube
Vgs (최대) +22V, -4V
기술 SiCFET (Silicon Carbide)
FET 기능 -
부품 상태 Active
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-247-3
Vgs(th) (최대) @ Id 5.6V @ 3.33mA
작동 온도 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
전원 소멸 (최대) 103W (Tc)
공급업체 장치 패키지 TO-247N
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 18V
소스 전압(Vds)으로 의회비 650V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 460pF @ 500V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 21A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 18V

재고 5657 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.26 $7.11 $6.97
최소: 1

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