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SCT2H12NZGC11

제조 업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	SCT2H12NZGC11
설명:	MOSFET N-CH 1700V 3.7A
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	ROHM Semiconductor
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	-
FET 유형	N-Channel
포장	Tube
Vgs (최대)	+22V, -6V
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-3PFM, SC-93-3
Vgs(th) (최대) @ Id	4V @ 900µA
작동 온도	175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
전원 소멸 (최대)	35W (Tc)
공급업체 장치 패키지	TO-3PFM
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	14nC @ 18V
소스 전압(Vds)으로 의회비	1700V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	184pF @ 800V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	3.7A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	18V