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RGT8NS65DGC9

제조 업체: ROHM Semiconductor
제품 카테고리: Transistors - IGBTs - Single
데이터 시트: RGT8NS65DGC9
설명: IGBT
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 ROHM Semiconductor
제품 카테고리 Transistors - IGBTs - Single
시리즈 -
IGBT 타입 Trench Field Stop
포장 Tube
입력 유형 Standard
게이트 충전 13.5nC
부품 상태 Active
전원 - 최대 65W
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
테스트 조건 400V, 4A, 50Ohm, 15V
스위칭 에너지 -
Td (켜기/끄기) @ 25°C 17ns/69ns
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
공급업체 장치 패키지 TO-262
Vce (켜기) (최대) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
역복구 시간(trr) 40ns
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 8A
전류 - 컬렉터 펄스 (Icm) 12A
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 650V

재고 1000 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.73 $1.70 $1.66
최소: 1

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