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DTC363EUT106

제조 업체: ROHM Semiconductor
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
데이터 시트: DTC363EUT106
설명: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 ROHM Semiconductor
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
시리즈 -
포장 Tape & Reel (TR)
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 200mW
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
트랜지스터 타입 NPN - Pre-Biased
기본 부품 번호 DTC363
저항기 - 베이스 (R1) 6.8 kOhms
주파수 - 전이 200MHz
공급업체 장치 패키지 UMT3
저항기 - 이미터 베이스 (R2) 6.8 kOhms
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 600mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 500nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 20V

재고 98 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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