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DTC115GUAT106

제조 업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
데이터 시트:	DTC115GUAT106
설명:	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	ROHM Semiconductor
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Not For New Designs
전원 - 최대	200mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	SC-70, SOT-323
트랜지스터 타입	NPN - Pre-Biased
기본 부품 번호	DTC115
주파수 - 전이	250MHz
공급업체 장치 패키지	UMT3
저항기 - 이미터 베이스 (R2)	100 kOhms
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	100mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	500nA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	82 @ 5mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	50V