이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
BSM180D12P2C101
| 제조 업체: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 데이터 시트: | BSM180D12P2C101 |
| 설명: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | ROHM Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 포장 | Bulk |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 부품 상태 | Active |
| 전원 - 최대 | 1130W |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | - |
| 공급업체 장치 패키지 | Module |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 소스 전압(Vds)으로 의회비 | 1200V (1.2kV) |
| 입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 204A (Tc) |
재고 21 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $410.07 | $401.87 | $393.83 |
최소: 1
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