이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조

NVMFSW6D1N08HT1G

제조 업체:	ON Semiconductor
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	NVMFSW6D1N08HT1G
설명:	T8 80V 1 PART PROLIFERATI
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	ON Semiconductor
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	Automotive, AEC-Q101
FET 유형	N-Channel
포장	-
Vgs (최대)	±20V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (최대) @ Id	4V @ 120µA
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
전원 소멸 (최대)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
공급업체 장치 패키지	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	32nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	80V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	2085pF @ 40V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	17A (Ta), 89A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	10V