NTJS3151PT1G
제조 업체: | ON Semiconductor |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | NTJS3151PT1G |
설명: | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | ON Semiconductor |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | - |
FET 유형 | P-Channel |
포장 | Tape & Reel (TR) |
Vgs (최대) | ±12V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Vgs(th) (최대) @ Id | 1.2V @ 100µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V |
전원 소멸 (최대) | 625mW (Ta) |
공급업체 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 12V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 850pF @ 12V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 2.7A (Ta) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 1.8V, 4.5V |
재고 60000 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.10 | $0.10 | $0.10 |
최소: 1