Image is for reference only , details as Specifications

NSVMUN5133DW1T1G

제조 업체:	ON Semiconductor
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
데이터 시트:	NSVMUN5133DW1T1G
설명:	TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	ON Semiconductor
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
시리즈	Automotive, AEC-Q101
포장	Tape & Reel (TR)
부품 상태	Active
전원 - 최대	250mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
트랜지스터 타입	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
저항기 - 베이스 (R1)	4.7kOhms
주파수 - 전이	-
공급업체 장치 패키지	SC-88/SC70-6/SOT-363
저항기 - 이미터 베이스 (R2)	47kOhms
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	100mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	500nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	50V