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NSVMMUN2232LT1G

제조 업체: ON Semiconductor
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
데이터 시트: NSVMMUN2232LT1G
설명: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 ON Semiconductor
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
시리즈 -
포장 Digi-Reel®
부품 상태 Active
전원 - 최대 246mW
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
트랜지스터 타입 NPN - Pre-Biased
기본 부품 번호 MMUN22**L
저항기 - 베이스 (R1) 4.7 kOhms
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
저항기 - 이미터 베이스 (R2) 4.7 kOhms
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 100mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 500nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 50V

재고 21585 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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