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NSBC115TDP6T5G

제조 업체:	ON Semiconductor
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
데이터 시트:	NSBC115TDP6T5G
설명:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	ON Semiconductor
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
시리즈	-
포장	Tape & Reel (TR)
부품 상태	Active
전원 - 최대	339mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	SOT-963
트랜지스터 타입	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
기본 부품 번호	NSBC1*
저항기 - 베이스 (R1)	100kOhms
주파수 - 전이	-
공급업체 장치 패키지	SOT-963
저항기 - 이미터 베이스 (R2)	-
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	100mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	500nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	50V