이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
NSBC115EPDXV6T1G
| 제조 업체: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 데이터 시트: | NSBC115EPDXV6T1G |
| 설명: | SS SOT563 RSTR XSTR TR |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 부품 상태 | Active |
| 전원 - 최대 | 357mW |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 트랜지스터 타입 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 저항기 - 베이스 (R1) | 100kOhms |
| 주파수 - 전이 | - |
| 공급업체 장치 패키지 | SOT-563 |
| 저항기 - 이미터 베이스 (R2) | 100kOhms |
| Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 현재 - 컬렉터 컷오프(최대) | 500nA |
| DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 50V |
재고 96 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.07 | $0.07 | $0.07 |
최소: 1
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