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NJVMJD117T4G

제조 업체:	ON Semiconductor
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
데이터 시트:	NJVMJD117T4G
설명:	TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	ON Semiconductor
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
시리즈	-
포장	Tape & Reel (TR)
부품 상태	Active
전원 - 최대	1.75W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
트랜지스터 타입	PNP - Darlington
기본 부품 번호	MJD117
작동 온도	-65°C ~ 150°C (TJ)
주파수 - 전이	25MHz
공급업체 장치 패키지	DPAK
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	2A
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	20µA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	100V