이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
MJD112G
| 제조 업체: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 데이터 시트: | MJD112G |
| 설명: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tube |
| 부품 상태 | Active |
| 전원 - 최대 | 1.75W |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 트랜지스터 타입 | NPN - Darlington |
| 기본 부품 번호 | MJD112 |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 주파수 - 전이 | 25MHz |
| 공급업체 장치 패키지 | DPAK |
| Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 2A |
| 현재 - 컬렉터 컷오프(최대) | 20µA |
| DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 100V |
재고 324 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.67 | $0.66 | $0.64 |
최소: 1
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