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MJ11032G
| 제조 업체: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 데이터 시트: | MJ11032G |
| 설명: | TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tray |
| 부품 상태 | Active |
| 전원 - 최대 | 300W |
| 마운팅 타입 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-204AE |
| 트랜지스터 타입 | NPN - Darlington |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 주파수 - 전이 | - |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-3 |
| Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic | 3.5V @ 500mA, 50A |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 50A |
| 현재 - 컬렉터 컷오프(최대) | 2mA |
| DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 25A, 5V |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 120V |
