이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
HGT1S10N120BNS
| 제조 업체: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - IGBTs - Single |
| 데이터 시트: | HGT1S10N120BNS |
| 설명: | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Transistors - IGBTs - Single |
| 시리즈 | - |
| IGBT 타입 | NPT |
| 포장 | Tube |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 충전 | 100nC |
| 부품 상태 | Not For New Designs |
| 전원 - 최대 | 298W |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 테스트 조건 | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| 기본 부품 번호 | HGT1S10N120 |
| 스위칭 에너지 | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (켜기/끄기) @ 25°C | 23ns/165ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-263AB |
| Vce (켜기) (최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 35A |
| 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm) | 80A |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 1200V |
재고 57 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.86 | $1.82 | $1.79 |
최소: 1
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