이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
H11G2W
| 제조 업체: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| 데이터 시트: | H11G2W |
| 설명: | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tube |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Darlington with Base |
| 부품 상태 | Obsolete |
| 마운팅 타입 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| 채널 수 | 1 |
| 전압 - 절연 | 5300Vrms |
| Vce 채도 (최대) | 1V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C |
| 상승 / 가을 시간 (입력) | - |
| 전압 - 출력(최대) | 80V |
| 공급업체 장치 패키지 | 6-DIP |
| 전류 - 출력 / 채널 | - |
| 전류 전송 비율(최대) | - |
| 전류 전송 비율(최소) | 1000% @ 10mA |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (입력) | 1.3V |
| 켜기 / 끄기 시간 (입력) | 5µs, 100µs |
| 현재 - DC 포워드(If) (최대) | 60mA |
