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FGA30N120FTDTU

제조 업체: ON Semiconductor
제품 카테고리: Transistors - IGBTs - Single
데이터 시트: FGA30N120FTDTU
설명: IGBT 1200V 60A 339W TO3P
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 ON Semiconductor
제품 카테고리 Transistors - IGBTs - Single
시리즈 -
IGBT 타입 Trench Field Stop
포장 Tube
입력 유형 Standard
게이트 충전 208nC
부품 상태 Active
전원 - 최대 339W
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
테스트 조건 -
스위칭 에너지 -
Td (켜기/끄기) @ 25°C -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
공급업체 장치 패키지 TO-3PN
Vce (켜기) (최대) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
역복구 시간(trr) 730ns
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 60A
전류 - 컬렉터 펄스 (Icm) 90A
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 1200V

재고 80 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.68 $6.55 $6.42
최소: 1

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