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PHB38N02LT,118

제조 업체: NXP USA Inc.
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: PHB38N02LT,118
설명: MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 NXP USA Inc.
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 TrenchMOS™
FET 유형 N-Channel
포장 Cut Tape (CT)
Vgs (최대) 12V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Obsolete
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 5V
전원 소멸 (최대) 57.6W (Tc)
공급업체 장치 패키지 D2PAK
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.1nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비 20V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 800pF @ 20V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 44.7A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 2.5V, 5V

재고 93 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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