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PDTD113ES,126
| 제조 업체: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 데이터 시트: | PDTD113ES,126 |
| 설명: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 제품 카테고리 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tape & Box (TB) |
| 부품 상태 | Obsolete |
| 전원 - 최대 | 500mW |
| 마운팅 타입 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 트랜지스터 타입 | NPN - Pre-Biased |
| 기본 부품 번호 | PDTD113 |
| 저항기 - 베이스 (R1) | 1 kOhms |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-92-3 |
| 저항기 - 이미터 베이스 (R2) | 1 kOhms |
| Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 500mA |
| 현재 - 컬렉터 컷오프(최대) | 500nA |
| DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 50V |
재고 98 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1
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