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BFG10W/X,115

제조 업체: NXP USA Inc.
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
데이터 시트: BFG10W/X,115
설명: RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 NXP USA Inc.
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
이득 -
시리즈 -
포장 Tape & Reel (TR)
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 400mW
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-343 Reverse Pinning
트랜지스터 타입 NPN
기본 부품 번호 BFG10
작동 온도 175°C (TJ)
주파수 - 전이 1.9GHz
공급업체 장치 패키지 4-SO
노이즈 피규어 (dB Typ @ f) -
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 250mA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 10V

재고 50 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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