TPS1101DR
제조 업체: | NA |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | TPS1101DR |
설명: | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | NA |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | - |
FET 유형 | P-Channel |
포장 | Tape & Reel (TR) |
Vgs (최대) | +2V, -15V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
전원 소멸 (최대) | 791mW (Ta) |
공급업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 15V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 2.3A (Ta) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 2.7V, 10V |
재고 68 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.94 | $0.92 | $0.90 |
최소: 1