이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
MT47H512M4THN-3:H
| 제조 업체: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Memory |
| 데이터 시트: | MT47H512M4THN-3:H |
| 설명: | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 제품 카테고리 | Memory |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tray |
| 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 액세스 시간 | 450ps |
| 메모리 크기 | 2Gb (512M x 4) |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 부품 상태 | Obsolete |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 63-FBGA |
| 클럭 주파수 | 333MHz |
| 기본 부품 번호 | MT47H512M4 |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 공급업체 장치 패키지 | 63-FBGA (9x11.5) |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
재고 64 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1
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