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MT41K512M8V00HWC1
| 제조 업체: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Memory |
| 데이터 시트: | MT41K512M8V00HWC1 |
| 설명: | IC DRAM 4G PARALLEL DIE |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 제품 카테고리 | Memory |
| 시리즈 | - |
| 포장 | - |
| 기술 | SDRAM - DDR3L |
| 메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 마운팅 타입 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.283V ~ 1.45V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 공급업체 장치 패키지 | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
재고 87 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.73 | $10.52 | $10.31 |
최소: 1
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