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IRLHM630TR2PBF

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	IRLHM630TR2PBF
설명:	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	HEXFET®
FET 유형	N-Channel
포장	Digi-Reel®
Vgs (최대)	±12V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Obsolete
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-VQFN Exposed Pad
Vgs(th) (최대) @ Id	1.1V @ 50µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 4.5V
전원 소멸 (최대)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
공급업체 장치 패키지	PQFN (3x3)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	62nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	3170pF @ 25V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	21A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	2.5V, 10V