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IRFHM8363TRPBF

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	IRFHM8363TRPBF
설명:	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	HEXFET®
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Tape & Reel (TR)
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Not For New Designs
전원 - 최대	2.7W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-PowerVDFN
기본 부품 번호	IRFHM8363PBF
Vgs(th) (최대) @ Id	2.35V @ 25µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	14.9mOhm @ 10A, 10V
공급업체 장치 패키지	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	15nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1165pF @ 10V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	11A