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IRFHE4250DTRPBF

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	IRFHE4250DTRPBF
설명:	MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	FASTIRFET™
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Cut Tape (CT)
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Obsolete
전원 - 최대	156W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	32-PowerWFQFN
기본 부품 번호	IRFHE4250
Vgs(th) (최대) @ Id	2.1V @ 35µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	2.75mOhm @ 27A, 10V
공급업체 장치 패키지	32-PQFN (6x6)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	20nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	25V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1735pF @ 13V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	86A, 303A