IRF7807VD1TR
제조 업체: | Infineon Technologies |
---|---|
제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | IRF7807VD1TR |
설명: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
---|---|
제조업체 | Infineon Technologies |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | FETKY™ |
FET 유형 | N-Channel |
포장 | Tape & Reel (TR) |
Vgs (최대) | ±20V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | Schottky Diode (Isolated) |
부품 상태 | Obsolete |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
전원 소멸 (최대) | 2.5W (Ta) |
공급업체 장치 패키지 | 8-SO |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 30V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 8.3A (Ta) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 4.5V |
재고 90 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1