IRF6709S2TR1PBF
제조 업체: | Infineon Technologies |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | IRF6709S2TR1PBF |
설명: | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Infineon Technologies |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | HEXFET® |
FET 유형 | N-Channel |
포장 | Digi-Reel® |
Vgs (최대) | ±20V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Obsolete |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric S1 |
Vgs(th) (최대) @ Id | 2.35V @ 25µA |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
전원 소멸 (최대) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
공급업체 장치 패키지 | DIRECTFET S1 |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 25V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 1010pF @ 13V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 4.5V, 10V |
재고 56 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1