IRF5802
제조 업체: | Infineon Technologies |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | IRF5802 |
설명: | MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Infineon Technologies |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | HEXFET® |
FET 유형 | N-Channel |
포장 | Tube |
Vgs (최대) | ±30V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Obsolete |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (최대) @ Id | 5.5V @ 250µA |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V |
전원 소멸 (최대) | 2W (Ta) |
공급업체 장치 패키지 | Micro6™(TSOP-6) |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 150V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 88pF @ 25V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 900mA (Ta) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 10V |