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IPN60R3K4CEATMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	IPN60R3K4CEATMA1
설명:	MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	CoolMOS™
FET 유형	N-Channel
포장	Cut Tape (CT)
Vgs (최대)	±20V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	Super Junction
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	SOT-223-3
Vgs(th) (최대) @ Id	3.5V @ 40µA
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	3.4Ohm @ 500mA, 10V
전원 소멸 (최대)	5W (Tc)
공급업체 장치 패키지	PG-SOT223
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	4.6nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	600V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	93pF @ 100V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	2.6A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	10V