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IPI084N06L3GXKSA1

제조 업체: Infineon Technologies
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: IPI084N06L3GXKSA1
설명: MOSFET N-CH TO262-3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Infineon Technologies
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 OptiMOS™
FET 유형 N-Channel
포장 Tube
Vgs (최대) ±20V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Last Time Buy
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (최대) @ Id 2.2V @ 34µA
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V
전원 소멸 (최대) 79W (Tc)
공급업체 장치 패키지 PG-TO262-3-1
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비 60V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 4900pF @ 30V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 50A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 4.5V, 10V

재고 55 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.86 $0.84 $0.83
최소: 1

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