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IPG20N10S4L35AATMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	IPG20N10S4L35AATMA1
설명:	MOSFET 2N-CH 8TDSON
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Tape & Reel (TR)
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Active
전원 - 최대	43W
마운팅 타입	Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스	8-PowerVDFN
Vgs(th) (최대) @ Id	2.1V @ 16µA
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	35mOhm @ 17A, 10V
공급업체 장치 패키지	PG-TDSON-8-10
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	17.4nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	100V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1105pF @ 25V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	20A