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IPD12CN10NGATMA1

제조 업체: Infineon Technologies
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: IPD12CN10NGATMA1
설명: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Infineon Technologies
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 OptiMOS™
FET 유형 N-Channel
포장 Tape & Reel (TR)
Vgs (최대) ±20V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Active
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (최대) @ Id 4V @ 83µA
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 67A, 10V
전원 소멸 (최대) 125W (Tc)
공급업체 장치 패키지 PG-TO252-3
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비 100V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 4320pF @ 50V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 67A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 10V

재고 50 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.84 $0.82 $0.81
최소: 1

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