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IPB029N06N3GE8187ATMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	IPB029N06N3GE8187ATMA1
설명:	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	OptiMOS™
FET 유형	N-Channel
포장	Tape & Reel (TR)
Vgs (최대)	±20V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (최대) @ Id	4V @ 118µA
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 100A, 10V
전원 소멸 (최대)	188W (Tc)
공급업체 장치 패키지	D²PAK (TO-263AB)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	165nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	60V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	13000pF @ 30V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	120A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	10V