IMZ120R350M1HXKSA1
제조 업체: | Infineon Technologies |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | IMZ120R350M1HXKSA1 |
설명: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Infineon Technologies |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | CoolSiC™ |
FET 유형 | N-Channel |
Vgs (최대) | +23V, -7V |
기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | TO-247-4 |
Vgs(th) (최대) @ Id | 5.7V @ 1mA |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2A, 18V |
전원 소멸 (최대) | 60W (Tc) |
공급업체 장치 패키지 | PG-TO247-4-1 |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.3nC @ 18V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 1.2kV |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 182pF @ 800V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 4.7A (Tc) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 15V, 18V |
재고 96 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$9.26 | $9.07 | $8.89 |
최소: 1