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IMW120R090M1HXKSA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	IMW120R090M1HXKSA1
설명:	COOLSIC MOSFETS 1200V
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	CoolSiC™
FET 유형	N-Channel
Vgs (최대)	+23V, -7V
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-247-3
Vgs(th) (최대) @ Id	5.7V @ 3.7mA
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	117mOhm @ 8.5A, 18V
전원 소멸 (최대)	115W (Tc)
공급업체 장치 패키지	PG-TO247-3-41
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	21nC @ 18V
소스 전압(Vds)으로 의회비	1.2kV
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	707pF @ 800V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	26A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	15V, 18V