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IGLD60R070D1AUMA1

제조 업체: Infineon Technologies
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: IGLD60R070D1AUMA1
설명: IC GAN FET 600V 60A 8SON
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Infineon Technologies
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 CoolGaN™
FET 유형 N-Channel
포장 Digi-Reel®
Vgs (최대) -10V
기술 GaNFET (Gallium Nitride)
FET 기능 -
부품 상태 Active
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (최대) @ Id 1.6V @ 2.6mA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs -
전원 소멸 (최대) 114W (Tc)
공급업체 장치 패키지 PG-LSON-8-1
소스 전압(Vds)으로 의회비 600V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 380pF @ 400V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 15A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) -

재고 94 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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