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FF6MR12W2M1B11BOMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	FF6MR12W2M1B11BOMA1
설명:	MOSFET MODULE 1200V 200A
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	CoolSiC™+
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
FET 기능	Silicon Carbide (SiC)
부품 상태	Active
전원 - 최대	20mW (Tc)
마운팅 타입	Chassis Mount
패키지 / 케이스	Module
Vgs(th) (최대) @ Id	5.55V @ 10mA
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	5.63mOhm @ 200A, 15V
공급업체 장치 패키지	AG-EASY2BM-2
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	496nC @ 15V
소스 전압(Vds)으로 의회비	1200V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	14700pF @ 800V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	200A (Tj)