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DF11MR12W1M1B11BOMA1

제조 업체: Infineon Technologies
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트: DF11MR12W1M1B11BOMA1
설명: MOSFET MODULE 1200V 50A
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Infineon Technologies
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈 CoolSiC™+
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
포장 Tray
FET 기능 Silicon Carbide (SiC)
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 20mW
마운팅 타입 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
Vgs(th) (최대) @ Id 5.5V @ 20mA
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V
공급업체 장치 패키지 Module
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 125nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비 1200V (1.2kV)
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 3950pF @ 800V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 50A

재고 21 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$127.96 $125.40 $122.89
최소: 1

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