Image is for reference only , details as Specifications

DF11MR12W1M1B11BOMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	DF11MR12W1M1B11BOMA1
설명:	MOSFET MODULE 1200V 50A
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	CoolSiC™+
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Tray
FET 기능	Silicon Carbide (SiC)
부품 상태	Obsolete
전원 - 최대	20mW
마운팅 타입	Chassis Mount
패키지 / 케이스	Module
Vgs(th) (최대) @ Id	5.5V @ 20mA
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
공급업체 장치 패키지	Module
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	125nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	1200V (1.2kV)
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	3950pF @ 800V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	50A