Image is for reference only , details as Specifications

BSZ120P03NS3EGATMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	BSZ120P03NS3EGATMA1
설명:	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	OptiMOS™
FET 유형	P-Channel
포장	Tape & Reel (TR)
Vgs (최대)	±25V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Last Time Buy
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-PowerTDFN
Vgs(th) (최대) @ Id	3.1V @ 73µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	12mOhm @ 20A, 10V
전원 소멸 (최대)	2.1W (Ta), 52W (Tc)
공급업체 장치 패키지	PG-TSDSON-8
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	45nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	3360pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	11A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	6V, 10V