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BSO615CGHUMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	BSO615CGHUMA1
설명:	MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	SIPMOS®
FET 유형	N and P-Channel
포장	Digi-Reel®
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Active
전원 - 최대	2W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 부품 번호	BSO615
Vgs(th) (최대) @ Id	2V @ 20µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3.1A, 10V
공급업체 장치 패키지	PG-DSO-8
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	22.5nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	60V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	380pF @ 25V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	3.1A, 2A