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BSM35GB120DN2HOSA1

제조 업체: Infineon Technologies
제품 카테고리: Transistors - IGBTs - Modules
데이터 시트: BSM35GB120DN2HOSA1
설명: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Infineon Technologies
제품 카테고리 Transistors - IGBTs - Modules
입력 Standard
시리즈 -
IGBT 타입 -
부품 상태 Not For New Designs
전원 - 최대 280W
구성 Half Bridge
마운팅 타입 Chassis Mount
NTC 서미스터 No
패키지 / 케이스 Module
작동 온도 150°C (TJ)
공급업체 장치 패키지 Module
Vce (켜기) (최대) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 50A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 1mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 1200V

재고 65 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$63.26 $61.99 $60.75
최소: 1

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