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BSG0810NDIATMA1

제조 업체:	Infineon Technologies
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	BSG0810NDIATMA1
설명:	MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Infineon Technologies
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	OptiMOS™
FET 유형	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
포장	Tape & Reel (TR)
FET 기능	Logic Level Gate, 4.5V Drive
부품 상태	Active
전원 - 최대	2.5W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-PowerTDFN
Vgs(th) (최대) @ Id	2V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 155°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
공급업체 장치 패키지	PG-TISON-8
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	25V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1040pF @ 12V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	19A, 39A