Image is for reference only , details as Specifications

IXFN50N120SIC

제조 업체:	IXYS
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	IXFN50N120SIC
설명:	MOSFET N-CH
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	IXYS
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	-
FET 유형	N-Channel
포장	Tube
Vgs (최대)	+20V, -5V
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Chassis Mount
패키지 / 케이스	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (최대) @ Id	2.2V @ 2mA
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	50mOhm @ 40A, 20V
전원 소멸 (최대)	-
공급업체 장치 패키지	SOT-227B
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	100nC @ 20V
소스 전압(Vds)으로 의회비	1200V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1900pF @ 1000V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	47A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	20V