이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조

IXFH6N100F

제조 업체:	IXYS-RF
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	IXFH6N100F
설명:	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	IXYS-RF
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	HiPerRF™
FET 유형	N-Channel
포장	Tube
Vgs (최대)	±20V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-247-3
Vgs(th) (최대) @ Id	5.5V @ 2.5mA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 3A, 10V
전원 소멸 (최대)	180W (Tc)
공급업체 장치 패키지	TO-247 (IXFH)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	54nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	1000V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1770pF @ 25V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	6A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	10V