IS61NLP51236-200B3I
제조 업체: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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제품 카테고리: | Memory |
데이터 시트: | IS61NLP51236-200B3I |
설명: | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
제품 카테고리 | Memory |
시리즈 | - |
포장 | Tray |
기술 | SRAM - Synchronous, SDR |
액세스 시간 | 3.1ns |
메모리 크기 | 18Mb (512K x 36) |
메모리 유형 | Volatile |
부품 상태 | Active |
메모리 형식 | SRAM |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 165-TBGA |
클럭 주파수 | 200MHz |
메모리 인터페이스 | Parallel |
전압 - 공급 | 3.135V ~ 3.465V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
공급업체 장치 패키지 | 165-TFBGA (13x15) |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
재고 54 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1