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GSID200A170S3B1

제조 업체: Global Power Technologies Group
제품 카테고리: Transistors - IGBTs - Modules
데이터 시트: GSID200A170S3B1
설명: SILICON IGBT MODULES
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Global Power Technologies Group
제품 카테고리 Transistors - IGBTs - Modules
입력 Standard
시리즈 Amp+™
IGBT 타입 -
부품 상태 Active
전원 - 최대 1630W
구성 2 Independent
마운팅 타입 Chassis Mount
NTC 서미스터 No
패키지 / 케이스 D-3 Module
작동 온도 -40°C ~ 150°C
공급업체 장치 패키지 D3
Vce (켜기) (최대) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 400A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 26nF @ 25V
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 1mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 1200V

재고 57 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$141.47 $138.64 $135.87
최소: 1

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