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GP2M009A090NG

제조 업체: Global Power Technologies Group
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: GP2M009A090NG
설명: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Global Power Technologies Group
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 -
FET 유형 N-Channel
포장 Tape & Reel (TR)
Vgs (최대) ±30V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Obsolete
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
전원 소멸 (최대) 312W (Tc)
공급업체 장치 패키지 TO-3PN
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 72nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비 900V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 2740pF @ 25V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 9A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 10V

재고 75 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
최소: 1

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